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节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%，有助于减少元器件数量并简化设计
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---和，将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix 和适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间，同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点（POL）转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中，SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果，特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 mW和2.93 mW，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 mW和4.4 mW。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM），比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%，100 W能效达到98%。
与前代解决方案对比
|
技术规格 / 器件编号 |
SiZF5302DT (Gen V) |
前代解决方案 (Gen IV) |
SiZF5302DT对比前代解决方案 |
|
封装 |
PowerPAIR 3x3FS |
PowerPAIR 6x5F |
63 %↓ |
|
VDS (V) |
30 |
30 |
- |
|
RDS(ON) 典型值 @ 4.5 V (mW) |
4.4 (通道1) 4.4 (通道2) |
4.0 (通道1) 1.2 (通道2) |
- |
|
Qg @ 4.5 V (nC) |
6.7 (通道1) 6.7 (通道2) |
11 (通道1) 46 (通道2) |
- |
|
FOM (mΩ*nC) |
29 (通道1) 29 (通道2) |
44 (通道1) 54 (通道2) |
35 % ↓ 46 % ↓ |
|
能效 @ 20 VIN / 12.5 VOUT / 800 kHZ / 100 W |
98 % |
96 % |
2 %↑ |
器件采用倒装芯片技术增强散热能力，独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
器件规格表：
|
产品编号 |
SiZF5300DT |
SiZF5302DT | |
|
VDS (V) |
30 |
30 | |
|
VGS (V) |
+ 16 / -12 |
+ 16 / -12 | |
|
RDS(on) 典型值 (mΩ) @ |
10 V |
2.02 |
2.7 |
|
4.5 V |
2.93 |
4.4 | |
|
Qg (典型值) @ 4.5 V (nC) |
9.5 |
6.7 | |
|
ID (A) @ |
TA = 25 °C |
125 |
100 |
|
TA = 70 °C |
100 |
80 | |
SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。
The DNA of techÔ 是Vishay Intertechnology的商标。TrenchFET、PowerPAIR和PowerPAK是Siliconix公司的注册商标。
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