SemiQ推出1200 V第三代SiC MOSFET 可降低大功率应用中的开关损耗

除了具有1200 V的漏源电压（VDS）外，MOSFET还将总开关损耗降低至1646 µJ，并具有16.1 mΩ的低导通电阻（RDS,on）。它可作为裸片或四引脚TO-247 4L分立封装提供，尺寸为31.4 x 16.1 x 4.8毫米，其中包括一个可靠的体二极管和一个用于栅极驱动的驱动器源引脚。

使用UV胶带和卷带进行了高质量的已知良好芯片（KGD）测试，所有部件均在超过1400V的电压下进行测试和验证，并进行了800 mJ的雪崩测试。通过100%晶圆级栅极氧化物老化筛选和100%离散封装器件的UIL测试，证实该器件的可靠性得到进一步提高。

该器件具有较低的反向恢复电荷（QRR 470 nC）和较低的电容，从而提高了开关速度、开关损耗、EMI和整体效率；易于并联；爬电距离更长（9 mm），从而提高了电气绝缘性、电压耐受性和可靠性。

SemiQ总裁Timothy Han博士表示：“第三代SiC的推出进一步增强了SiC MOSFET相对于IGBT的优势。这些器件不仅性能大幅提升，而且与前几代产品相比，芯片尺寸更小，成本更低。因此，QSiC 1200V的推出为该技术及其优势开辟了更广泛的应用领域。”

规格：额定值和电气/热特性

QSiC 1200V MOSFET的连续工作和存储温度为-55℃至175℃。其建议工作栅极-源极电压为-4/18 V，VGSmax为-8/22 V，功耗为484 W（核心和结温25℃）。

对于静态电气特性，该器件的结到外壳热阻为每瓦0.26℃（结到环境热阻为每瓦 40℃）。其零栅极电压漏极电流为100 nA，栅极源电压电流为10 nA。其交流特性包括开启延迟时间为21 ns，上升时间为25 ns；其关闭延迟时间为65 ns，下降时间为20 ns。

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